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IXFK30N50Q

更新时间： 2024-11-17 04:22:47

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描述
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

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IXFK30N50Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-264AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.83
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	30 A
最大漏源导通电阻：	0.16 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFK30N50Q 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-Class

V_DSSI_D25

R_DS(on)

IXFK/IXFX 30N50Q

IXFK/IXFX 32N50Q

500 V 30 A 0.16 Ω

500 V 32 A 0.15 Ω

t ≤ 250 ns

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheRated, LowQ_g,Highdv/dt

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

PLUS247^TM

(IXFK)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

500

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

V_GSM

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C,

30N50Q

32N50Q

30N50Q

32N50Q

120

128

TO-264AA(IXFK)

pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

I_AR

(TAB)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1500

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

P_D

T_C= 25°C

416

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... + 150

150

-55 ... + 150

°C

Features

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

IXYS advanced low Q_gprocess

M_d

1.13/10

Nm/lb.in.

Low gate charge and capacitances

- easier to drive

Weight

TO-247

TO-268

- faster switching

International standard packages

Low R_{DS (on)}

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Molding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

min.

typ.

max.

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 uA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

500

V_GS(th)

2.5

4.5

Advantages

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100

PLUS 247 package for clip or spring

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

100

µA

mounting

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Note 1

32N50Q

30N50Q

0.15

0.16

Ω

High power density

98604D (06/02)

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFK320N17T2	IXYS	获取价格	GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFK320N17T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFK32N100P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFK32N100P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
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