品牌 | Logo | 应用领域 |
力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 212K | |
描述 | ||
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能(Tc=@25oC)。 通过结合高电流额定值与紧凑的封装选择,这些尺寸更加小巧的器件能够控制更高的功率。 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFK32N100P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET | |
IXFK32N100P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFK32N100Q3 | IXYS |
获取价格 |
HiperFET Power MOSFETs Q3-Class | |
IXFK32N100X | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXFK32N50Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class | |
IXFK32N50Q_04 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class | |
IXFK32N60 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFET | |
IXFK32N80P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET | |
IXFK32N80P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFK32N80Q3 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 800V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |