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IXFK320N17T2

更新时间： 2024-02-03 07:58:44

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GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

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IXFK320N17T2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-264AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	8.5	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	5000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	170 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	320 A	最大漏极电流 (ID)：	320 A
最大漏源导通电阻：	0.0052 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1670 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	800 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFK320N17T2 数据手册

Advance Technical Information

GigaMOS^TMTrenchT2

HiperFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 170V

I_D25= 320A

R_DS(on)≤ 5.2mΩ

IXFK320N17T2

IXFX320N17T2

t_rr

≤ 150ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-264 (IXFK)

Fast Intrinsic Diode

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

170

(TAB)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 20

± 30

PLUS247 (IXFX)

I_D25

I_L(RMS)

I_DM

T_C= 25°C (Chip Capability)

External Lead Current Limit

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

320

160

800

I_A

E_AS

T_C= 25°C

100

(TAB)

P_D

T_C= 25°C

1670

G = Gate

= Drain

dV/dt

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 175°C

V/ns

S = Source

TAB = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

Features

^zInternational Standard Packages

^zHigh Current Handling Capability

^zFast Intrinsic Diode

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

^zAvalanche Rated

20..120 /4.5..27

Low R_DS(on)

Weight

TO-264

PLUS247

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

170

2.5

5.0

Synchronous Recification

^zDC-DC Converters

^zBattery Chargers

± 200 nA

50 μA

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

^zDC Choppers

^zAC Motor Drives

I_DSS

T_J= 150°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 60A, Note 1

5.2 mΩ

^zUninterruptible Power Supplies

^zHigh Speed Power Switching

Applications

DS100188(09/09)

12 3 4 5 6

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