STW21N90K5

更新时间： 2024-02-26 06:40:14

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
22页	998K
描述
N-channel 900 V, 0.25 Î© typ., 18.5 A Zener-protected SuperMESHâ¢ 5 Power MOSFET in a D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages

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STW21N90K5 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-247	包装说明：	ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	17 weeks
风险等级：	2.25	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	170 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	900 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	17 A
最大漏极电流 (ID)：	17 A	最大漏源导通电阻：	0.299 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	210 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	68 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STW21N90K5 数据手册

STB21N90K5, STF21N90K5, STP21N90K5,

STW21N90K5

N-channel 900 V, 0.25 Ω typ., 18.5 A Zener-protected SuperMESH™ 5

Power MOSFET in a D²PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages

Datasheet — production data

Features

TAB

Order codes V_DSSR_DS(on)max

I_D

P_W

STB21N90K5

STF21N90K5

250 W

40 W

D PAK

TO-220FP

900 V < 0.299 Ω 18.5 A

TAB

STP21N90K5

STW21N90K5

250 W

■ TO-220 worldwide best R_DS(on)

■ Worldwide best FOM (figure of merit)

■ Ultra low gate charge

TO-220

TO-247

■ 100% avalanche tested

■ Zener-protected

Figure 1.

Internal schematic diagram

D(2, TAB)

Applications

■ Switching applications

Description

G(1)

These devices are N-channel Power MOSFETs

developed using SuperMESH™ 5 technology.

This revolutionary, avalanche-rugged, high

voltage Power MOSFET technology is based on

an innovative proprietary vertical structure. The

result is a drastic reduction in on-resistance and

ultra low gate charge for applications which

require superior power density and high

efficiency.

S(3)

AM01476v1

Table 1.

Device summary

Order codes

Marking

Package

Packaging

STB21N90K5

STF21N90K5

STP21N90K5

STW21N90K5

D²PAK

TO-220FP

TO-220

Tape and reel

21N90K5

Tube

TO-247

October 2012

Doc ID 16744 Rev 6

1/22

This is information on a product in full production.

www.st.com

12 3 4 5 6 7...22

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STW21N90K5 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFX26N90	IXYS	功能相似	HiPerFET Power MOSFETs
IXFX25N90	IXYS	功能相似	HiPerFET Power MOSFETs
IXFK25N90	IXYS	功能相似	HiPerFET Power MOSFETs

与STW21N90K5相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STW21NM50N	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 500V - 0.15ohm - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STW21NM60N	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 600 V - 0.17 Ω - 17 A TO-220 - TO-2
STW21NM60ND	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 600 V, 0.17 ヘ, 17 A FDmesh⑩ II Powe
STW220NF75	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 75V - 0.004OHM - 120A TO-247 STripFET II POWER MOSFET
STW22N95K5	STMICROELECTRONICS	获取价格	汽车级N沟道950 V、0.280 Ohm典型值MDmesh K5功率MOSFET，TO-
STW22NM50	STMICROELECTRONICS	获取价格	20A, 500V, 0.215ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC, TO-247, 3 PIN
STW22NM60	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 600V - 0.19 ohm - 22A TO-220/FP/D2P
STW22NM60N	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 600 V, 0.2 Î©, 16 A MDmeshâ¢ II Po
STW23N80K5	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道800 V、0.23 Ohm典型值、16 A MDmesh K5功率MOSFET，T
STW23N85K5	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道850 V、0.2 Ohm典型值、19 A MDmesh K5功率MOSFET，TO

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