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IXFK27N80

更新时间： 2024-11-19 14:56:19

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力特 - LITTELFUSE		/
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5页	241K
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IXFK27N80 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.7
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	800 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	27 A
最大漏极电流 (ID)：	27 A	最大漏源导通电阻：	0.3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-264AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	500 W	最大功率耗散 (Abs)：	500 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	108 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFK27N80 数据手册

Not for New Designs

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

HiPerFET^TMPower MOSFETs

IXFK 27N80

800 V 27 A 0.30 Ω

800 V 25 A 0.35 Ω

800 V 27 A 0.30 Ω

800 V 25 A 0.35 Ω

IXFK 25N80

IXFN 27N80

IXFN 25N80

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheRated, Highdv/dt, Lowt_rr

TO-264AA(IXFK)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

IXFK

IXFN

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

800

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

(TAB)

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

±20

±30

V_GSM

miniBLOC,SOT-227B(IXFN)

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C, Chip capability

27N80 27

25N80 25

108

100

E153432

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM27N80 108

T_C= 25°C

25N80 100

27N80 14

25N80 13

E_AR

T_C= 25°C

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

Either Source terminal at miniBLOC can be used

as Main or Kelvin Source

P_D

T_C= 25°C

500

520

T_J

-55 ... +150

150

-55 ... +150

300

°C

T_JM

T_stg

Features

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

°C

• International standard packages

• JEDECTO-264 AA,epoxymeet

UL 94 V-0, flammability classification

• miniBLOC, with Aluminium nitride

isolation

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

_ISOL≤ 1 mA

t = 1 min

t = 1 s

2500

3000

M_d

Mounting torque

Terminal connection torque

0.9/6

1.5/13 Nm/lb.in.

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

• Low package inductance

• Fast intrinsic Rectifier

Weight

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min.

typ.

max.

Applications

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 3 mA

800

V_DSStemperature coefficient

0.096

%/K

• DC-DC converters

• Battery chargers

• Switched-mode and resonant-mode

power supplies

V_GH(th)

V_DS= V_GS, I_D= 8 mA

4.5

V_GS(th)temperature coefficient

-0.214

%/K

• DC choppers

• Temperature and lighting controls

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±200 nA

500 µA

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

Advantages

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

Pulse test, t ≤ 300 µs,

duty cycle d ≤ 2 %

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

25N80

27N80

0.35

0.30

Ω

95561D(6/02)

12 3 4 5

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