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IXFK27N80

更新时间： 2024-11-06 14:56:19
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力特 - LITTELFUSE /
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5页 241K
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IXFK27N80 技术参数

生命周期：Not Recommended包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.7
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：800 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：27 A
最大漏极电流 (ID)：27 A最大漏源导通电阻：0.3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-264AA
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：500 W最大功率耗散 (Abs)：500 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：108 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXFK27N80 数据手册

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Not for New Designs  
VDSS  
ID25  
RDS(on)  
HiPerFETTM Power MOSFETs  
IXFK 27N80  
800 V 27 A 0.30 Ω  
800 V 25 A 0.35 Ω  
800 V 27 A 0.30 Ω  
800 V 25 A 0.35 Ω  
IXFK 25N80  
IXFN 27N80  
IXFN 25N80  
N-ChannelEnhancementMode  
AvalancheRated, Highdv/dt, Lowtrr  
TO-264AA(IXFK)  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
IXFK  
IXFN  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 150°C  
800  
800  
800  
800  
V
V
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ  
(TAB)  
G
D
VGS  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
±20  
±30  
V
V
S
VGSM  
miniBLOC,SOT-227B(IXFN)  
ID25  
IDM  
IAR  
TC = 25°C, Chip capability  
27N80 27  
25N80 25  
27  
25  
108  
100  
14  
A
E153432  
S
A
A
A
A
A
G
TC = 25°C, pulse width limited by TJM 27N80 108  
TC = 25°C  
D
25N80 100  
27N80 14  
25N80 13  
G
13  
S
EAR  
TC= 25°C  
30  
5
30  
5
mJ  
S
D
S
dv/dt  
IS≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/µs, VDD ≤ VDSS  
TJ ≤ 150°C, RG = 2 Ω  
,
V/ns  
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
TAB = Drain  
Either Source terminal at miniBLOC can be used  
as Main or Kelvin Source  
PD  
TC = 25°C  
500  
520  
W
TJ  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
300  
°C  
°C  
°C  
TJM  
Tstg  
Features  
TL  
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s  
-
°C  
• International standard packages  
• JEDECTO-264 AA,epoxymeet  
UL 94 V-0, flammability classification  
• miniBLOC, with Aluminium nitride  
isolation  
VISOL  
50/60 Hz, RMS  
ISOL ≤ 1 mA  
t = 1 min  
t = 1 s  
-
-
2500  
3000  
V~  
V~  
I
Md  
Mounting torque  
Terminal connection torque  
0.9/6  
-
1.5/13 Nm/lb.in.  
1.5/13 Nm/lb.in.  
• Low RDS (on) HDMOSTM process  
• Rugged polysilicon gate cell structure  
• Unclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
• Low package inductance  
• Fast intrinsic Rectifier  
Weight  
Symbol  
10  
30  
g
TestConditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min.  
typ.  
max.  
Applications  
VDSS  
VGS = 0 V, ID = 3 mA  
800  
V
VDSS temperature coefficient  
0.096  
%/K  
• DC-DC converters  
• Battery chargers  
• Switched-mode and resonant-mode  
power supplies  
VGH(th)  
VDS = VGS, ID = 8 mA  
2
4.5  
V
VGS(th) temperature coefficient  
-0.214  
%/K  
• DC choppers  
• Temperature and lighting controls  
IGSS  
IDSS  
VGS = ±20 VDC, VDS = 0  
±200 nA  
500 µA  
VDS = 0.8 • VDSS  
VGS = 0 V  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
2
mA  
Advantages  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 0.5 • ID25  
Pulse test, t ≤ 300 µs,  
duty cycle d ≤ 2 %  
• Easy to mount  
• Space savings  
• High power density  
25N80  
27N80  
0.35  
0.30  
Ω
Ω
95561D(6/02)  
© 2002 IXYS All rights reserved  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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