IXFK27N80Q

更新时间： 2024-11-20 22:11:15

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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2页	58K
描述
HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS

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IXFK27N80Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-264AA	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	4.24
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	800 V
最大漏极电流 (ID)：	27 A	最大漏源导通电阻：	0.32 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-264AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	108 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFK27N80Q 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-CLASS

V_DSS= 800 V

I_D25= 27 A

R_DS(on)= 300 mW

IXFK 27N80Q

IXFR 27N80Q

IXFX 27N80Q

Single MOSFET Die

t_rr£ 250 ns

PLUS 247^TM(IXFX)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, Low Qg, High dV/dt, Low t_rr

(TAB)

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

TO-264 AA (IXFK)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

800

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

108

ISOPLUS 247^TM(IXFR)

E153432

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

2.5

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

Isolated back surface*

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

P_D

T_C= 25°C

500

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

• IXYS advanced low Q_gprocess

• Low gate charge and capacitances

- easier to drive

- faster switching

• Internationalstandardpackages

• Low R_{DS (on)}

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

300

°C

M_d

Mountingtorque

TO-264

0.4/6

Nm/lb.in.

Weight

PLUS 247/ISOPLUS 247

TO-264

• Rated for unclamped Inductive load

switching (UIS) rated

• Molding epoxies meet UL 94 V-0

flammabilityclassification

Symbol

V_DSS

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Applications

• DC-DC converters

• Batterychargers

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

• DC choppers

min. typ. max.

V_GS= 0 V, I_D= 250uA

800

2.0

V_GS(th)

I_GSS

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

4.5 V

• ACmotorcontrol

• Temperatureandlightingcontrols

V_GS= ±20 V, V_DS= 0

±100nA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

100 mA

2 mA

Advantages

T_J= 125°C

• PLUS 247^TMpackage for clip or spring

mounting

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

Note 1

300 mW

• Space savings

• Highpowerdensity

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98722(05/22/00)

1 - 2

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SPA06N80C3	INFINEON	功能相似	Cool MOS⑩ Power Transistor
SPP08N80C3	INFINEON	功能相似	Cool MOS⑩ Power Transistor
SPP04N80C3	INFINEON	功能相似	Cool MOS⑩ Power Transistor

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXFK28N60	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFK300N20X3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFK300N20X3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFK30N100Q2	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
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IXFK30N50Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFK320N17T2	IXYS	获取价格	GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFK320N17T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能

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