5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 2.2 |
| Samacsys Confidence： | 3 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 423093 | Samacsys Pin Count： | 3 |
| Samacsys Part Category： | MOSFET (N-Channel) | Samacsys Package Category： | Transistor Outline, Vertical |
| Samacsys Footprint Name： | PG-TO220-3+ | Samacsys Released Date： | 2020-03-29 02:52:26 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 170 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 800 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4 A | 最大漏源导通电阻： | 1.3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 63 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 12 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SPP11N80C3 | INFINEON |
类似代替  |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
|
| SPP08N80C3 | INFINEON |
类似代替 |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
|
| SPA04N80C3 | INFINEON |
类似代替 |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPP04N80C3_08 | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOSTM Power Transistor Features New revolutionary high voltage technology |
|
| SPP04N80C3XK | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| SPP04N80C3XKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| SPP06N60C3 | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOS Power Transistor |
|
| SPP06N60C3_07 | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOSTM Power Transistor Features New revolutionary high voltage technology |
|
| SPP06N60C3_09 | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOSTM Power Transistor Features New revolutionary high voltage technology |
|
| SPP06N60C3XK | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| SPP06N80C2 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS Power Transistor |
|
| SPP06N80C3 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
|
| SPP06N80C3_07 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS™ Power Transistor |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
