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SPP07N60S5HKSA1

更新时间： 2024-01-02 00:01:00
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 533K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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SPP07N60S5HKSA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.69其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：230 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.3 A最大漏极电流 (ID)：7.3 A
最大漏源导通电阻：0.6 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：83 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：14.6 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SPP07N60S5HKSA1 数据手册

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SPP07N60S5  
SPI07N60S5  
Cool MOS™ Power Transistor  
Feature  
• New revolutionary high voltage technology  
V
600  
0.6  
7.3  
V
Ω
A
DS  
R
DS(on)  
I
D
• Worldwide best R  
in TO 220  
DS(on)  
PG-TO262  
PG-TO220  
• Ultra low gate charge  
• Periodic avalanche rated  
• Extreme dv/dt rated  
2
3
2
1
• Ultra low effective capacitances  
• Improved transconductance  
P-TO220-3-1  
Type  
SPP07N60S5  
Package  
PG-TO220  
Ordering Code  
Q67040-S4172  
Q67040-S4328  
Marking  
07N60S5  
07N60S5  
SPI07N60S5  
PG-TO262  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
A
Continuous drain current  
I
D
T = 25 °C  
7.3  
4.6  
C
T = 100 °C  
C
14.6  
230  
Pulsed drain current, t limited by T  
Avalanche energy, single pulse  
I
E
p
jmax  
D puls  
mJ  
AS  
I = - A, V = 50 V  
D
DD  
1)  
jmax  
E
0.5  
7.3  
Avalanche energy, repetitive t limited by T  
AR  
AR  
I = 7.3 A, V = 50 V  
D
DD  
A
V
Avalanche current, repetitive t limited by T  
I
AR  
jmax AR  
Gate source voltage  
V
±20  
30  
83  
GS  
V
P
Gate source voltage AC (f >1Hz)  
GS  
tot  
Power dissipation, T = 25°C  
W
C
°C  
Operating and storage temperature  
T , T  
-55... +150  
j
stg  
Page 1  
Rev. 2.7  
2009-11-27  
1234567...12

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SPP07N60S5HKSA1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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