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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.75 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 230 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 650 V | 最大漏极电流 (ID)： | 7.3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.6 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 21.9 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPP07N65C3XK | INFINEON |
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暂无描述 |
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| SPP08N50C3 | INFINEON |
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Cool MOS⑩ Power Transistor |
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| SPP08N50C3_09 | INFINEON |
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New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche rated |
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| SPP08N80C3 | INFINEON |
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Cool MOS⑩ Power Transistor |
|
| SPP08N80C3_08 | INFINEON |
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CoolMOSTM Power Transistor Features New revolutionary high voltage technology |
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| SPP08P06P | INFINEON |
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SIPMOS Power-Transistor |
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| SPP08P06P_09 | INFINEON |
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P-Channel Enhancement mode Avalanche rated dv/dt rated |
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| SPP08P06PG | INFINEON |
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P-Channel Enhancement mode Avalanche rated dv/dt rated |
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| SPP08P06PH | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| SPP1 | TTELEC |
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Fibre core conformal coated wirewound resistor |
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