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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.28 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 70 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8.8 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8.8 A | 最大漏源导通电阻： | 0.3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 42 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 35.2 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPP08P06P_09 | INFINEON |
获取价格 |
P-Channel Enhancement mode Avalanche rated dv/dt rated |
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| SPP08P06PG | INFINEON |
获取价格 |
P-Channel Enhancement mode Avalanche rated dv/dt rated |
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| SPP08P06PH | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| SPP1 | TTELEC |
获取价格 |
Fibre core conformal coated wirewound resistor |
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| SPP-1 | TTELEC |
获取价格 |
General Purpose Wirewound Resistors |
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| SPP100N03S2-03 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
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| SPP100N03S2L-03 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
|
| SPP100N04S2-04 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
|
| SPP100N04S2L-03 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
|
| SPP100N06S2-05 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
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