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TK7P60W

更新时间： 2024-02-15 23:23:01

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东芝 - TOSHIBA		稳压器开关
页数	文件大小	规格书
10页	243K
描述
Switching Voltage Regulators

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TK7P60W 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.73
雪崩能效等级（Eas）：	92 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A	最大漏极电流 (ID)：	7 A
最大漏源导通电阻：	0.6 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	28 A	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TK7P60W 数据手册

TK7P60W

MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)

TK7P60W

1. Applications

•

Switching Voltage Regulators

2. Features

(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.5 Ω (typ.)

by used to Super Junction Structure : DTMOS

(2) Easy to control Gate switching

(3) Enhancement mode: Vth = 2.7 to 3.7 V (VDS = 10 V, ID = 0.35 mA)

3. Packaging and Internal Circuit

1: Gate

2: Drain (Heatsink)

3: Source

DPAK

4. Absolute Maximum Ratings (Note) (Ta = 25 unless otherwise specified)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current (DC)

Drain current (pulsed)

Power dissipation

VDSS

VGSS

600

±30

7.0

(Note 1)

IDP

(Tc = 25)

Single-pulse avalanche energy

Avalanche current

(Note 2)

EAS

IAR

1.8

7.0

Reverse drain current (DC)

Reverse drain current (pulsed)

Channel temperature

(Note 1)

IDR

IDRP

Tch

150



Storage temperature

Tstg

-55 to 150

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

("Handling Precautions"/"Derating Concept and Methods") and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

2012-09-10

Rev.1.0

12 3 4 5 6 7...10

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TK7P60W 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
TK7Q60W	TOSHIBA	类似代替	N-ch MOSFET, 600 V, 0.6 Ω@10V, IPAK, DTMOSⅣ
SPP07N60S5HKSA1	INFINEON	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与TK7P60W相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TK7P60W5	TOSHIBA	获取价格	Transistors (Bipolar/MOSFETs/IGBTs) - MOSFETs - Power MOSFET - Nch 500V<VDSS&#
TK7P65W	TOSHIBA	获取价格	Nch 500V<VDSS≤700V, Power MOSFET
TK7P65W,RQ	TOSHIBA	获取价格	MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
TK7Q60W	TOSHIBA	获取价格	N-ch MOSFET, 600 V, 0.6 Ω@10V, IPAK, DTMOSⅣ
TK7Q65W	TOSHIBA	获取价格	N-ch MOSFET, 650 V, 0.8 Ω@10V, IPAK, DTMOSⅣ
TK7R0E08QM	TOSHIBA	获取价格	N-ch MOSFET, 80 V, 0.0070 Ω@10V, TO-220, U-MO
TK7R2E10PL	TOSHIBA	获取价格	N-ch MOSFET, 100 V, 0.0072 Ω@10V, TO-220, U-M
TK7R4A10PL	TOSHIBA	获取价格	N-ch MOSFET, 100 V, 0.0074 Ω@10V, TO-220SIS,
TK7R7P10PL	TOSHIBA	获取价格	N-ch MOSFET, 100 V, 0.0077 Ω@10V, DPAK, U-MOS
TK7S10N1Z	TOSHIBA	获取价格	N-ch MOSFET, 100 V, 7.0 A, 0.048 Ω@10V, DPAK+

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