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TK80A04K3L

更新时间： 2024-01-14 15:31:20

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	230K
描述
TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power

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TK80A04K3L 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.75	雪崩能效等级（Eas）：	665 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	80 A
最大漏极电流 (ID)：	80 A	最大漏源导通电阻：	0.0035 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	48 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TK80A04K3L 数据手册

TK80A04K3L

MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)

TK80A04K3L

1. Applications

•

Automotive

Switching Voltage Regulators

Motor Drivers

2. Features

(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.9 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

(2) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 40 V)

(3) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 3.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

3. Packaging and Internal Circuit

1: Gate

2: Drain

3: Source

TO-220SIS

4. Absolute Maximum Ratings (Note) (Ta = 25 unless otherwise specified)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current (DC)

Drain current (pulsed)

Power dissipation

VDSS

VGSS

±20

(Note 1)

IDP

320

(Tc = 25)

Single-pulse avalanche energy

Avalanche current

(Note 2)

EAS

IAR

665

Channel temperature

Storage temperature

(Note 3)

Tch

Tstg

175



-55 to 175

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

("Handling Precautions"/"Derating Concept and Methods") and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

2012-12-05

Rev.1.0

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TK80A08K3	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 80 A, 75 V, 0.0045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-10U1B, SC-67
TK80D08K3	TOSHIBA	获取价格	Switching Regulator Applications
TK80E06K3A	TOSHIBA	获取价格	Switching Voltage Regulators
TK80F04K3L	TOSHIBA	获取价格	Switching Voltage Regulators
TK80F06K3L	TOSHIBA	获取价格	Switching Voltage Regulators
TK80F08K3	TOSHIBA	获取价格	Swiching Regulator
TK80S04K3L	NXP	获取价格	MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS IV)
TK80S04K3L	TOSHIBA	获取价格	EOL announced
TK80S06K3L	TOSHIBA	获取价格	MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS )
TK80X04K3	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 80 A, 40 V, 0.0035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 2-9F1C, S

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