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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.73 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 90 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 650 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6.8 A | 最大漏源导通电阻： | 0.8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 27.2 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TK7P65W,RQ | TOSHIBA |
获取价格 |
MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK |
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| TK7Q60W | TOSHIBA |
获取价格 |
N-ch MOSFET, 600 V, 0.6 Ω@10V, IPAK, DTMOSⅣ |
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| TK7Q65W | TOSHIBA |
获取价格 |
N-ch MOSFET, 650 V, 0.8 Ω@10V, IPAK, DTMOSⅣ |
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| TK7R0E08QM | TOSHIBA |
获取价格 |
N-ch MOSFET, 80 V, 0.0070 Ω@10V, TO-220, U-MO |
|
| TK7R2E10PL | TOSHIBA |
获取价格 |
N-ch MOSFET, 100 V, 0.0072 Ω@10V, TO-220, U-M |
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| TK7R4A10PL | TOSHIBA |
获取价格 |
N-ch MOSFET, 100 V, 0.0074 Ω@10V, TO-220SIS, |
|
| TK7R7P10PL | TOSHIBA |
获取价格 |
N-ch MOSFET, 100 V, 0.0077 Ω@10V, DPAK, U-MOS |
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| TK7S10N1Z | TOSHIBA |
获取价格 |
N-ch MOSFET, 100 V, 7.0 A, 0.048 Ω@10V, DPAK+ |
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| TK80A04K3L | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power |
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| TK80A08K3 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 80 A, 75 V, 0.0045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-10U1B, SC-67 |
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