SPP06N60C3

更新时间： 2024-11-15 03:31:19

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CoolMOS Power Transistor

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SPP06N60C3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	7.92	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	200 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.2 A	最大漏极电流 (ID)：	6.2 A
最大漏源导通电阻：	0.75 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	74 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	18.6 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SPP06N60C3 数据手册

SPP06N60C3

CoolMOS^TMPower Transistor

Features

Product Summary

_DS@ T _j,max

R _DS(on),max

I _D

650

0.75

6.2

Ω

• New revolutionary high voltage technology

• Ultra low gate charge

• Periodic avalanche rated

• High peak current capability

• Ultra low effective capacitances

• Extreme dv /dt rated

PG-TO220

• Improved transconductance

Type

Package

Ordering Code Marking

SPP06N60C3

PG-TO220

Q67040-S4629

06N60C3

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C

T _C=100 °C

T _C=25 °C

6.2

3.9

Continuous drain current

Pulsed drain current¹⁾

I _D,pulse

E _AS

E _AR

I _AR

18.6

200

0.5

I _D=3.1 A, V _DD=50 V

I _D=6.2 A, V _DD=50 V

Avalanche energy, single pulse

1),2)

Avalanche energy, repetitive t _AR

6.2

Avalanche current, repetitive t _AR

Drain source voltage slope

Gate source voltage

I _D=6.2 A, V _DS=480 V,

T _j=125 °C

dv /dt

V/ns

V _GS

P _tot

±20

±30

static

AC (f >1 Hz)

T _C=25 °C

Power dissipation

T _j, T _stg

-55 ... 150

Operating and storage temperature

°C

Reverse diode dv/dt

dv/dt

V/ns

Rev. 1.4

page 1

2005-09-21

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFBC30APBF	VISHAY	功能相似	Power MOSFET
IRF830APBF	VISHAY	功能相似	Power MOSFET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SPP06N60C3_09	INFINEON	获取价格	CoolMOSTM Power Transistor Features New revolutionary high voltage technology
SPP06N60C3XK	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
SPP06N80C2	INFINEON	获取价格	Cool MOS Power Transistor
SPP06N80C3	INFINEON	获取价格	Cool MOS⑩ Power Transistor
SPP06N80C3_07	INFINEON	获取价格	Cool MOS™ Power Transistor
SPP06N80C3_08	INFINEON	获取价格	CoolMOSTM Power Transistor
SPP06N80C3XK	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 800V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SPP06N80C3XKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 800V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
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