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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 2.22 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 230 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 800 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.9 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 83 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 18 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STP10NK80Z | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
N-CHANNEL 800V - 0.78ohm - 9A TO-220/TO-220FP |
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| STU9NC80Z | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 800V - 0.82ohm - 8.6A Max220/I-Max2 |
|
| STU9NB80 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 800V - 0.85ohm - 9.3A - TO-247 PowerMESH MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPP06N80C3_07 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS™ Power Transistor |
|
| SPP06N80C3_08 | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOSTM Power Transistor |
|
| SPP06N80C3XK | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 800V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| SPP06N80C3XKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 800V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| SPP07N60C2 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
|
| SPP07N60C3 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
|
| SPP07N60C3_07 | INFINEON |
获取价格 |
New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge |
|
| SPP07N60C3_09 | INFINEON |
获取价格 |
New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated |
|
| SPP07N60C3HKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SPP07N60CFD | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOSTM Power Transistor Features Intrinsic fast-recovery body diode |
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