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SPP07N60C3HKSA1

更新时间： 2024-11-15 20:06:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
15页 620K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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SPP07N60C3HKSA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.67
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：230 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (ID)：7.3 A
最大漏源导通电阻：0.6 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：21.9 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SPP07N60C3HKSA1 数据手册

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SPP07N60C3  
SPI07N60C3, SPA07N60C3  
Cool MOS™ Power Transistor  
Feature  
• New revolutionary high voltage technology  
V
@ T  
650  
0.6  
7.3  
V
Ω
A
DS  
jmax  
R
DS(on)  
I
D
• Ultra low gate charge  
PG-TO220FP PG-TO262  
PG-TO220  
• Periodic avalanche rated  
• Extreme dv/dt rated  
2
3
• High peak current capability  
• Improved transconductance  
2
1
3
2
1
P-TO220-3-31  
P-TO220-3-1  
• PG-TO-220-3-31;-3-111: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute)  
Type  
SPP07N60C3  
Package  
PG-TO220-3 Q67040-S4400  
Ordering Code  
Marking  
07N60C3  
SPI07N60C3  
SPA07N60C3  
PG-TO262  
PG-TO220FP  
Q67040-S4424  
07N60C3  
07N60C3  
SP000216303  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
SPP_I  
SPA  
Continuous drain current  
I
A
D
1)  
T
= 25 °C  
7.3  
4.6  
7.3  
4.6  
C
1)  
T
= 100 °C  
C
Pulsed drain current,  
Avalanche energy, single pulse  
t
limited by  
T
I
D puls  
21.9  
230  
21.9  
230  
A
mJ  
p
jmax  
E
AS  
I
=5.5A,  
V
=50V  
D
DD  
2)  
E
Avalanche energy, repetitive  
t
limited by  
T
0.5  
0.5  
AR  
AR  
jmax  
I
=7.3A,  
V
=50V  
D
DD  
Avalanche current, repetitive  
Gate source voltage static  
t
limited by  
T
I
AR  
7.3  
±20  
30  
7.3  
±20  
30  
A
V
AR  
jmax  
V
V
P
GS  
GS  
tot  
Gate source voltage AC (f >1Hz)  
Power dissipation, T = 25°C  
83  
32  
W
C
Operating and storage temperature  
Reverse diode dv/dt  
T
dv/dt  
,
T
-55...+150  
15  
°C  
V/ns  
j
stg  
6)  
Page 1  
Rev. 3.2  
2009-11-27  
1234567...15

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与SPP07N60C3HKSA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SPP07N60CFD INFINEON

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 		CoolMOSTM Power Transistor Features Intrinsic fast-recovery body diode
SPP07N60CFDHKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 600V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SPP07N60S5 INFINEON

获取价格

 		Cool MOS⑩ Power Transistor
SPP07N60S5_09 INFINEON

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 		Cool MOS? Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology
SPP07N60S5HKSA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SPP07N65C3 INFINEON

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SPP07N65C3XK INFINEON

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