STU9NB80

更新时间： 2024-09-28 22:17:59

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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N-CHANNEL 800V - 0.85ohm - 9.3A - TO-247 PowerMESH MOSFET

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STU9NB80 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	MAX220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.88
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	600 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9 A	最大漏极电流 (ID)：	9 A
最大漏源导通电阻：	1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	160 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	36 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STU9NB80 数据手册

STU9NB80

N-CHANNEL 800V - 0.85Ω - 9.3A - TO-247

PowerMESH MOSFET

TYPE

V_DSS

R_DS(on)

I_D

STU9NB80

800 V

< 1 Ω

9 A

■

TYPICAL R_DS(on)= 0.85 Ω

EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY

± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING

100% AVALANCHE TESTED

VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES

GATE CHARGE MINIMIZED

DESCRIPTION

Using the latest high voltage MESH OVERLAY

process, STMicroelectronics has designed an

advanced family of power MOSFETs with

outstanding performances. The new patent

pending strip layout coupled with the Company’s

proprietary edge termination structure, gives the

lowest RDS(on) per area, exceptional avalanche

and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge

and switching characteristics.

Max220

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

APPLICATIONS

■

HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING

SWITCH MODE POWER SUPPLIES(SMPS)

DC-AC CONVERTERS FOR WELDING

EQUIPMENTAND UNINTERRUPTIBLE

POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_DS

V_DGR

V_GS

I_D

Parameter

Value

800

Unit

Drain-source Voltage (V_GS= 0)

800

Drain- gate Voltage (R_GS= 20 kΩ)

Gate-source Voltage

Drain Current (continuous) at T_c= 25 ^oC

I_D

Drain Current (continuous) at T_c= 100 C

5.6

I_DM( )

Drain Current (pulsed)

•

P_tot

Total Dissipation at T_c= 25 C

160

Derating Factor

1.28

W/^oC

V/ns

^oC

dv/dt(1) Peak Diode Recovery voltage slope

T_stg

T_j

Storage Temperature

-65 to 150

150

Max. Operating Junction Temperature

•

≤ ≤ µ ≤ ≤

(1) I_SD9.3A, di/dt 200A/ s, V_DDV_(BR)DSS, Tj T_JMAX

( ) Pulse width limited by safe operating area

1/8

July 1999

12 3 4 5 6 7 8

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STU9NB80 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SPP06N80C3	INFINEON	功能相似	Cool MOS⑩ Power Transistor
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