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SPP07N60C2 PDF预览

SPP07N60C2

更新时间： 2024-11-14 22:21:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 161K
描述
Cool MOS⑩ Power Transistor

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SPP07N60C2 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SFM包装说明：PLASTIC, TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.83其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：230 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.3 A
最大漏极电流 (ID)：7.3 A最大漏源导通电阻：0.6 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：83 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：14.6 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SPP07N60C2 数据手册

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SPP07N60C2, SPB07N60C2  
SPA07N60C2  
Final data  
Cool MOS™ Power Transistor  
Feature  
Product Summary  
• New revolutionary high voltage technology  
• Ultra low gate charge  
V
@ T  
jmax  
650  
0.6  
7.3  
V
Ω
A
DS  
R
DS(on)  
• Periodic avalanche rated  
I
D
• Extreme dv/dt rated  
• Ultra low effective capacitances  
P-TO220-3-31 P-TO263-3-2  
P-TO220-3-1  
3
2
1
P-TO220-3-31  
Type  
Package  
Ordering Code  
Marking  
SPP07N60C2  
P-TO220-3-1 Q67040-S4309  
07N60C2  
SPB07N60C2  
SPA07N60C2  
P-TO263-3-2 Q67040-S4310  
P-TO220-3-31 Q67040-S4331  
07N60C2  
07N60C2  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
SPA  
SPP_B  
Continuous drain current  
I
A
D
1)  
T = 25 °C  
7.3  
4.6  
7.3  
C
1)  
T = 100 °C  
4.6  
C
Pulsed drain current, t limited by T  
I
D puls  
14.6  
230  
14.6  
230  
A
p
jmax  
Avalanche energy, single pulse  
E
mJ  
AS  
I =5.5A, V =50V  
D
DD  
2)  
Avalanche energy, repetitive t limited by T  
E
0.5  
0.5  
AR  
jmax  
AR  
I =7.3A, V =50V  
D
DD  
Avalanche current, repetitive t limited by T  
I
AR  
7.3  
6
7.3  
6
A
AR  
jmax  
Reverse diode dv/dt  
dv/dt  
V/ns  
I = 7.3 A, V < V , di/dt=100A/µs, T =150°C  
jmax  
S
DS  
DD  
Gate source voltage  
V
V
P
±20  
±30  
83  
±20  
±30  
32  
V
GS  
GS  
tot  
Gate source voltage AC (f >1Hz)  
Power dissipation, T = 25°C  
W
C
Operating and storage temperature  
T , T  
-55...+150  
°C  
j
stg  
Page 1  
2002-08-12  
1234567...14

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与SPP07N60C2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SPP07N60C3 INFINEON

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 		Cool MOS⑩ Power Transistor
SPP07N60C3_07 INFINEON

获取价格

 		New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge
SPP07N60C3_09 INFINEON

获取价格

 		New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated
SPP07N60C3HKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SPP07N60CFD INFINEON

获取价格

 		CoolMOSTM Power Transistor Features Intrinsic fast-recovery body diode
SPP07N60CFDHKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 600V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SPP07N60S5 INFINEON

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 		Cool MOS⑩ Power Transistor
SPP07N60S5_09 INFINEON

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 		Cool MOS? Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology
SPP07N60S5HKSA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SPP07N65C3 INFINEON

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