是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | Factory Lead Time: | 10 weeks |
风险等级: | 0.62 | 雪崩能效等级(Eas): | 230 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 5 A |
最大漏极电流 (ID): | 5 A | 最大漏源导通电阻: | 1.4 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT APPLICABLE |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 74 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 20 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT APPLICABLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRF830A | VISHAY |
类似代替 |
Power MOSFET | |
IRF830APBF | VISHAY |
功能相似 |
Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRF830AS | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRF830AS | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=1.40ohm, Id=5.0A) | |
IRF830AS | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | |
IRF830AS, IRF830AL, SiHF830AS, SiHF830AL | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRF830ASPBF | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRF830ASPBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET | |
IRF830ASTRL | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRF830ASTRLPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
IRF830ASTRLPBF | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRF830ASTRR | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-263AB |