IRF830AS

更新时间： 2024-02-19 17:05:49

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管
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8页	160K
描述
Power MOSFET

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IRF830AS 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.04	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.5 A	最大漏极电流 (ID)：	4.5 A
最大漏源导通电阻：	1.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	74 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF830AS 数据手册

IRF830AS, IRF830AL, SiHF830AS, SiHF830AL

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

Requirement

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

500

Available

_DS(on)(Max.) (Ω)

V_GS= 10 V

1.40

RoHS*

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

Q_g(Max.) (nC)

6.3

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

Configuration

Single

• Effective C_ossspecified

• Lead (Pb)-free Available

I²PAK

(TO-262)

D²PAK

(TO-263)

APPLICATIONS

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• High speed power switching

TYPICAL SMPS TOPOLOGIES

• Two Transistor Forward

N-Channel MOSFET

• Half Bridge and Full Bridge

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

IRF830ASPbF

D²PAK (TO-263)

IRF830ASTRLPbF^a

SiHF830ASTL-E3^a

IRF830ASTRL^a

I²PAK (TO-262)

IRF830ALPbF

SiHF830AL-E3

IRF830AL

Lead (Pb)-free

SiHF830AS-E3

IRF830AS

SnPb

SiHF830AS

SiHF830ASTL^a

SiHF830AL

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

500

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

5.0

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

3.2

Pulsed Drain Current^{a, e}

Linear Derating Factor

Single Pulse Avalanche Energy^{b, e}

Avalanche Current^a

I_DM

0.59

230

W/°C

E_AS

I_AR

5.0

Repetiitive Avalanche Energy^a

E_AR

7.4

_A= 25 °C

3.1

Maximum Power Dissipation

P_D

V/ns

°C

T_C= 25 °C

Peak Diode Recovery dV/dt^{c, e}

dV/dt

5.3

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

300^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 18 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 5.0 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 5.0 A, dI/dt ≤ 370 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. Uses SiHF830A data and test conditions.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91062

S-81352-Rev. A, 16-Jun-08

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF830AS, IRF830AL, SiHF830AS, SiHF830AL	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF830ASPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF830ASPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF830ASTRL	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF830ASTRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF830ASTRLPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF830ASTRR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-263AB
IRF830ASTRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF830B	FAIRCHILD	获取价格	500V N-Channel MOSFET
IRF830B	VISHAY	获取价格	D Series Power MOSFET

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