IRF830PBF

更新时间： 2024-11-01 05:39:27

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
Power MOSFET

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IRF830PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	ROHS COMPLIANT PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	Factory Lead Time：	9 weeks
风险等级：	0.69	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	280 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.5 A	最大漏极电流 (ID)：	4.5 A
最大漏源导通电阻：	1.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	75 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	18 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF830PBF 数据手册

IRF830, SiHF830

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

500

Available

• Repetitive Avalanche Rated

• Fast Switching

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

1.5

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

5.0

COMPLIANT

• Ease of Paralleling

_gs(nC)

_gd(nC)

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

DESCRIPTION

TO-220

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The TO-220 package is universally preferred for all

commercial-industrial applications at power dissipation

levels to approximately 50 W. The low thermal resistance

and low package cost of the TO-220 contribute to its wide

acceptance throughout the industry.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220

IRF830PbF

SiHF830-E3

IRF830

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHF830

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

500

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

4.5

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

2.9

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.59

280

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

4.5

E_AR

7.4

Maximum Power Dissipation

_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

3.5

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 24 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 4.5 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 4.5 A, dI/dt ≤ 75 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91063

S-81290-Rev. A, 16-Jun-08

www.vishay.com

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IRF830PBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTE2398	NTE	功能相似	MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch

与IRF830PBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF830R	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
IRF830S	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=1.5ohm, Id=4.5A)
IRF830S (KRF830S)	KEXIN	获取价格	N-Channel MOSFET
IRF830S, SiHF830S, IRF830L, SiHF830L	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF830SPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF830STRL	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF830STRLPBF	VISHAY	获取价格	暂无描述
IRF830T	MOTOROLA	获取价格	4.5A, 500V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRF830U	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF830U2	MOTOROLA	获取价格	4.5A, 500V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

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