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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.71 |
| 其他特性： | HIGH VOLTAGE, FAST SWITCHING | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 35 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 13 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF832R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
|
| IRF833 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 4.5 A, 450V/500V |
|
| IRF833 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 450V 4A |
|
| IRF833-009 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 450V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| IRF833FI | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-220AB |
|
| IRF833R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
|
| IRF840 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/500V |
|
| IRF840 | TI |
获取价格 |
A 0.9-A Constant Current Supply with PFC for 100-W LED |
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| IRF840 | TRSYS |
获取价格 |
Power MOSFET ( VDSS = 500V, RDS(on) = 0.85 ohm, ID = 8.0 A ) |
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| IRF840 | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
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