是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.58 |
雪崩能效等级(Eas): | 510 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 500 V |
最大漏极电流 (ID): | 8 A | 最大漏源导通电阻: | 0.85 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | 250 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 125 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 32 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | MATTE TIN OVER NICKEL |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IRF840-029PBF | VISHAY | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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IRF8401111 | INFINEON | TRANSISTORS N-CHANNEL |
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IRF84016 | MOTOROLA | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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IRF840A | INFINEON | Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.85ohm, Id=8.0A) |
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IRF840A | TRSYS | Power MOSFET |
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IRF840A | VISHAY | Power MOSFET |
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