IRF840

更新时间： 2024-11-29 05:39:27

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4页	96K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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IRF840 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.05	雪崩能效等级（Eas）：	320 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	8 A	最大漏源导通电阻：	0.85 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	湿度敏感等级：	3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	32 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF840 数据手册

IRF840

RoHS-compliant Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Ease of Paralleling

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

500V

0.85Ω

▼ Fast Switching Characteristic

▼ Simple Drive Requirement

Description

TO-220(P)

APEC MOSFET provide the power designer with the best combination of fast

switching , lower on-resistance and reasonable cost.

The TO-220 and package is universally preferred for all commercial-industrial

applications. The device is suited for switch mode power supplies ,DC-AC

converters and high current high speed switching circuits.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

500

Gate-Source Voltage

±20

I_D@T_C=25℃

I_D@T_C=100℃

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current¹

5.1

P_D@T_C=25℃

Total Power Dissipation

125

Linear Derating Factor

Single Pulse Avalanche Energy²

320

W/℃

E_AS

I_AR

Avalanche Current

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

℃

Thermal Data

Symbol

Parameter

Thermal Resistance Junction-case

Thermal Resistance Junction-ambient

Value

Unit

℃/W

Rthj-c

Max.

1.0

Rthj-a

Data & specifications subject to change without notice

200430071-1/4

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IRF840-017	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRF840-017PBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
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