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IRF831

更新时间： 2024-09-22 20:12:43

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1页	59K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 450V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

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IRF831 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.69
其他特性：	LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	450 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.5 A	最大漏极电流 (ID)：	4.5 A
最大漏源导通电阻：	1.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	60 pF	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	75 W
最大功率耗散 (Abs)：	75 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	18 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	85 ns
最大开启时间（吨）：	60 ns	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF831-006	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 450V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF8313PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF8313TR	UMW	获取价格	种类:N+N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°
IRF8313TRPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF831FI	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-220VAR
IRF831R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 4.5A I(D) \| TO-220AB
IRF832	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Power MOSFETs, 4.5 A, 450V/500V
IRF832	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 500V 4A
IRF8327SPBF	INFINEON	获取价格	Ultra Low Package Inductance
IRF8327SPBF_15	INFINEON	获取价格	Ultra Low Package Inductance