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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.68 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.5 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IRF831R | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-220AB |
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| IRF832 | FAIRCHILD | N-Channel Power MOSFETs, 4.5 A, 450V/500V |
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| IRF832 | NJSEMI | Trans MOSFET N-CH 500V 4A |
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| IRF8327SPBF | INFINEON | Ultra Low Package Inductance |
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| IRF8327SPBF_15 | INFINEON | Ultra Low Package Inductance |
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| IRF8327STRPBF | INFINEON | DirectFETPower MOSFET |
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