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IRF3205功率MOSFET:资料手册参数分析

IRF3205是一款由英飞凌(Infineon Technologies)生产的N沟道功率MOSFET,广泛用于高效直流/直流转换器和开关模式电源供应器。以下是对IRF3205资料手册参数的详细分析。

IRF3205.png

1. 电气特性摘要

- 漏极-源极击穿电压 (BVDSS):最小55V,这是在VGS=0V,ID=250?A条件下的最小值。

- 栅极-源极阈值电压 (VGS(th)):在VDS=VGS,ID=250?A条件下,介于2V至4V之间。

- 静态漏极-源极导通电阻 (RDS(on)):在VGS=10V,ID=62A条件下,最小值为8mΩ。

- 正向跨导 (gFS):在VDS=25V,ID=62A条件下,为44S。

2. 极限参数

- 最大漏极电流 (ID):在TC=25°C时,连续漏极电流为110A,脉冲漏极电流为390A。

- 最大功耗 (PD):在TC=25°C时,为200W。

3. 热特性

- 工作结温范围 (TJ):-55°C至150°C。

- 存储温度范围 (TSTG):同样为-55°C至150°C。

4. 电容特性

- 输入电容 (Ciss):在VDS=25V,VGS=0V,频率为1MHz时,为3247pF。

- 输出电容 (Coss):在VDS=25V时,为781pF。

- 反向传输电容 (Crss):为211pF。

5. 开关特性

- 开通延迟时间 (td(on)):在VDD=28V,ID=62A,RG=4.5Ω条件下,为14ns。

- 开通上升时间 (tr):为101ns。

- 关断延迟时间 (td(off)):为50ns。

- 关断下降时间 (tf):为65ns。

6. 封装信息

IRF3205通常采用TO-220封装,这是一种通用的直插式封装,适用于多种商业和工业应用。

7. 应用指南

IRF3205适用于多种应用,包括:

- 高效率开关DC/DC转换器。

- 开关模式电源供应器(SMPS)。

- 电机控制。

- 照明和家用电器。

8. 安装指南

- 预热温度:25~150℃,时间为60~90秒。

- 峰值温度:255±5℃,持续时间为5±0.5秒。

- 冷却速度:2~10℃/sec。

9. 耐焊接热试验条件

- 温度:270±5℃。

- 时间:10±1秒。

10. 包装规格

提供散件包装和套管包装,具体数量和尺寸根据选择的封装类型而定。

结论

IRF3205是一款性能出色的功率MOSFET,适用于要求高速开关和高效率的应用场合。设计工程师在设计电源转换电路时,应仔细阅读和理解IRF3205的数据手册,以确保选用合适的部件并正确地应用到设计中。

标签: IRF3205
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