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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF830WC | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF831 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 450V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF831 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 450V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF831 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 4.5 A, 450V/500V |
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| IRF831 | STMICROELECTRONICS |
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4.5A, 450V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
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| IRF831 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 450V 4.5A |
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| IRF831-006 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 450V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF8313PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF8313TR | UMW |
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种类:N+N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25° |
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| IRF8313TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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