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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.59 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (ID)： | 4.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 75 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF830F | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IRF830FI | NJSEMI |
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Trans MOSFET 500V 3A 3-Pin(3+Tab) ISOWATT220 |
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| IRF830FP | SUNTAC |
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POWER MOSFET |
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| IRF830I-HF | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| IRF830N | MOTOROLA |
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4.5A, 500V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| IRF830PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRF830PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF830R | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
|
| IRF830S | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=1.5ohm, Id=4.5A) |
|
| IRF830S (KRF830S) | KEXIN |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
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