5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRF830B
IRF830B PDF预览

IRF830B

更新时间： 2024-02-22 19:37:21
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
10页 889K
描述
500V N-Channel MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRF830B 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.04外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.5 A最大漏极电流 (ID)：4.5 A
最大漏源导通电阻：1.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：74 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF830B 数据手册

 浏览型号IRF830B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF830B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF830B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF830B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF830B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF830B的Datasheet PDF文件第7页 
November 2001  
IRF830B/IRFS830B  
500V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switch mode power supplies,  
power factor correction and electronic lamp ballasts based  
on half bridge.  
•
•
•
•
•
•
4.5A, 500V, R  
= 1.5Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 27 nC)  
Low Crss ( typical 17 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
G
TO-220  
IRF Series  
TO-220F  
IRFS Series  
G
D S  
G D  
S
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
IRF830B  
IRFS830  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
500  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
4.5  
2.9  
18  
4.5 *  
2.9 *  
18 *  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
270  
4.5  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
7.3  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
5.5  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
73  
38  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.58  
0.3  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
300  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
* Drain current limited by maximum junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
IRF830B  
IRFS830B  
3.31  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case Max.  
Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.  
1.71  
0.5  
θJC  
--  
θCS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient Max.  
62.5  
62.5  
θJA  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, November 2001  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

与IRF830B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF830BJ69Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF830BPBF VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
IRF830C MOTOROLA

获取价格

 		4.5A, 500V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRF830D1 MOTOROLA

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF830F INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
IRF830FI NJSEMI

获取价格

 		Trans MOSFET 500V 3A 3-Pin(3+Tab) ISOWATT220
IRF830FP SUNTAC

获取价格

 		POWER MOSFET
IRF830I-HF A-POWER

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
IRF830N MOTOROLA

获取价格

 		4.5A, 500V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRF830PBF VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET

与IRF830B相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证