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| 力特 - LITTELFUSE |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 3页 | 170K |  |
| 描述 | ||
| 功能与特色: 应用: 优点: | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.7 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 2500 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 800 V | 最大漏极电流 (ID)： | 27 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.32 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-264AA | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 108 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFK27N80Q_02 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS |
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| IXFK28N60 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFK300N20X3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFK300N20X3 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFK30N100Q2 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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| IXFK30N100Q2_08 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q2-Class |
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| IXFK30N110P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
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| IXFK30N50Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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| IXFK320N17T2 | IXYS |
获取价格 |
GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET |
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| IXFK320N17T2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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