IXFK210N17T

更新时间： 2024-11-05 05:39:55

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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GigaMOS Power MOSFET

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IXFK210N17T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-264AA
包装说明：	PLASTIC, TO-264, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	2000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	170 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	210 A
最大漏极电流 (ID)：	210 A	最大漏源导通电阻：	0.0075 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-264AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	580 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFK210N17T 数据手册

Advance Technical Information

GigaMOS^TM

Power MOSFET

V_DSS= 170V

I_D25= 210A

R_DS(on)≤ 7.5mΩ

IXFK210N17T

IXFX210N17T

t_rr

≤ 200ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

TO-264 (IXFK)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

170

(TAB)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 20

± 30

PLUS247 (IXFX)

I_D25

I_L(RMS)

I_DM

T_C= 25°C

External Lead Current Limit

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

210

160

580

I_A

E_AS

T_C= 25°C

100

(TAB)

Drain

P_D

T_C= 25°C

1150

G = Gate

S = Source

TAB

dV/dt

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 175°C

V/ns

= Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

Features

^zInternational Standard Packages

^zHigh Current Handling Capability

^zFast Intrinsic Diode

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

^zAvalanche Rated

20..120 /4.5..27

Low R_DS(on)

Weight

TO-264

PLUS247

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

170

2.5

5.0

Synchronous Recification

^zDC-DC Converters

^zBattery Chargers

± 200 nA

50 μA

^zSwitched-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

^zDC Choppers

^zAC Motor Drives

I_DSS

T_J= 150°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 60A, Note 1

7.5 mΩ

^zUninterruptible Power Supplies

^zHigh Speed Power Switching

Applications

DS100138(03/09)

12 3 4 5

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IXFK210N30X3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
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IXFK21N100Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS
IXFK21N100Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFK220N15P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiperFET
IXFK220N15P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFK220N17T2	IXYS	获取价格	GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFK220N17T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
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