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IXFN230N10

更新时间： 2024-11-04 22:07:55

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2页	283K
描述
Power MOSFETs Single Die MOSFET

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IXFN230N10 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	7.98
其他特性：	AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED	雪崩能效等级（Eas）：	4000 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	230 A
最大漏极电流 (ID)：	230 A	最大漏源导通电阻：	0.006 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	700 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	920 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Nickel (Ni)	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFN230N10 数据手册

Advanced Technical Information

HiPerFET^TM

IXFN 230N10

V_DSS= 100 V

Power MOSFETs

Single Die MOSFET

I_D25

R_DS(on)

t_rr

= 230 A

6 mW

< 250 ns

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheRated, Highdv/dt, Lowt_rr

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

miniBLOC,SOT-227B(IXFN)

E153432

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

100

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

I_D25

I_L(RMS)

I_DM

T_C= 25°C, Chip capability

Terminal current limit

230

100

920

150

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

G = Gate

S = Source

D = Drain

I_AR

E_AR

T_C= 25°C

Either Source terminal at miniBLOC can be used

as Main or Kelvin Source

E_AS

Features

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

V/ns

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

International standard packages

miniBLOC, with Aluminium nitride

isolation

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

Rugged polysilicon gate cell structure

P_D

T_C= 25°C

700

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

_ISOL≤ 1 mA

t = 1 min

t = 1 s

2500

3000

Low package inductance

Fast intrinsic Rectifier

M_d

Mounting torque

Terminal connection torque

1.5/13 Nm/lb.in.

Weight

Applications

DC-DC converters

Battery chargers

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Switched-mode and resonant-mode

power supplies

min. typ. max.

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 3 mA

V_DS= V_GS, I_D= 8 mA

100

2.0

DC choppers

Temperature and lighting controls

V_GH(th)

4.0

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±200 nA

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

100 µA

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 µs,

duty cycle d ≤ 2 %

mΩ

98548A (9/98)

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IXFN230N10 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFN280N085	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN200N10P	IXYS	类似代替	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFN180N10	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFET Single MOSFET Die

与IXFN230N10相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFN230N10_08	IXYS	获取价格	Power MOSFET Single Die MOSFET
IXFN230N20T	IXYS	获取价格	GigaMOS Power MOSFET
IXFN230N20T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFN23N100	IXYS	获取价格	HiPerFET-TM Power MOSFET
IXFN240N15T2	IXYS	获取价格	GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFN240N15T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFN240N25X3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFN24N100	IXYS	获取价格	HiPerRF Power MOSFETs
IXFN24N100	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFN24N100_08	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFET

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