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IXFN180N10

更新时间： 2024-11-17 22:07:55

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4页	86K
描述
HiPerFET Power MOSFET Single MOSFET Die

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IXFN180N10 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	7.97
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	3000 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	180 A
最大漏极电流 (ID)：	180 A	最大漏源导通电阻：	0.008 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	600 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	720 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Nickel (Ni)	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IXFN180N10 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFET

IXFN 180N10

V_DSS= 100 V

I_D25

= 180 A

= 8 mΩ

R_DS(on)

Single MOSFET Die

Preliminary data sheet

t ≤ 250 ns

miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)

Symbol TestConditions

Maximum Ratings

E153432

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

100

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_L(RMS)

I_DM

T_C= 25°C

180

100

720

180

Terminal (current limit)

T_C= 25°C; Note 1

T_C= 25°C

I_AR

G = Gate

S = Source

D = Drain

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

Either Source terminal at miniBLOC can be used

as Main or Kelvin Source

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

Features

P_D

T_C= 25°C

600

• International standard package

• Encapsulating epoxy meets

UL 94 V-0, flammability classification

• miniBLOC with Aluminium nitride

isolation

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

300

°C

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

• Low package inductance

• Fast intrinsic Rectifier

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

_ISOL≤ 1 mA

t = 1 min

t = 1 s

2500

3000

M_d

Mounting torque

Terminal connection torque

1.5/13 Nm/lb.in.

Weight

Applications

• DC-DC converters

• Synchronous rectification

• Battery chargers

• Switched-mode and resonant-mode

power supplies

• DC choppers

• Temperature and lighting controls

• Low voltage relays

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

100

Typ.

Max.

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= ±20V, V_GS= 0V

±100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

100

µA

Advantages

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25

Note 2

mΩ

98546B (8/99)

12 3 4

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IXFN180N10 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFN280N085	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN200N10P	IXYS	类似代替	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFN230N10	IXYS	类似代替	Power MOSFETs Single Die MOSFET

与IXFN180N10相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFN180N15P	IXYS	获取价格	PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXFN180N15P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFN180N20	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN180N20	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFN180N25T	IXYS	获取价格	GigaMOS Power MOSFET
IXFN180N25T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFN185N10	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 100V V(BR)DSS \| 185A I(D)
IXFN200N06	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFN200N07	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFN200N07	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:

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