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| 力特 - LITTELFUSE |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 3页 | 174K |  |
| 描述 | ||
| 功能与特色: 应用: 优点: | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.37 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 2000 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 70 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 200 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 200 A | 最大漏源导通电阻： | 0.006 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 520 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 520 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 600 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Nickel (Ni) |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFN200N10P | IXYS |
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Polar HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFN200N10P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFN20N120 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFN20N120P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET |
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| IXFN20N120P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFN210N20P | IXYS |
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Polar HiPerFET |
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| IXFN210N20P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFN210N30P3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFN210N30P3 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXFN210N30X3 | LITTELFUSE |
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超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘 |
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