Datasheet > IXFN210N30P3

IXFN210N30P3

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
5页	132K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFN210N30P3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	4.41
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	192 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1500 W	子类别：	FET General Purpose Power
Base Number Matches：	1

IXFN210N30P3 数据手册

Preliminary Technical Information

Polar3^TMHiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 300V

I_D25= 192A

R_DS(on) 14.5m

IXFN210N30P3

t_rr

 250ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Rectifier

miniBLOC

E153432

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

300

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

192

550

G = Gate

S = Source

D = Drain

I_A

E_AS

T_C= 25C

105

Either Source Terminal S can be used as

the Source Terminal or the Kelvin Source

(Gate Return) Terminal.

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150C

T_C= 25C

V/ns

1500

Features

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C



International Standard Package

miniBLOC, with Aluminium Nitride



V_ISOL

50/60 Hz, RMS, t = 1minute

2500

3000

Isolation

Dynamic dv/dt Rating

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Rectifier

Low R_DS(on)

Low Drain-to-Tab Capacitance

Low Package Inductance

I_ISOL1mA,

t = 1s



M_d

Mounting Torque for Base Plate

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in



Weight



Advantages



Easy to Mount

Space Savings



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min.

300

2.5

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V



5.0

DC-DC Converters

Battery Chargers

Switch-Mode and Resonant-Mode



200 nA



Power Supplies

Uninterrupted Power Supplies

AC Motor Drives

High Speed Power Switching

I_DSS

50 A



Note 2, T_J= 125C

1.5 mA



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 105A, Note 1

14.5 m



Applications

DS100482A(12/13)

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与IXFN210N30P3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFN210N30X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFN21N100	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 1KV V(BR)DSS \| 21A I(D)
IXFN21N100Q	IXYS	获取价格	HiPerFET TM Power MOSFETs Q-Class
IXFN21N100Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFN220N20X3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFN22N120	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFN230N10	IXYS	获取价格	Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN230N10	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFN230N10_08	IXYS	获取价格	Power MOSFET Single Die MOSFET
IXFN230N20T	IXYS	获取价格	GigaMOS Power MOSFET

与IXFN210N30P3相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

4
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

4
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

6
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

6

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFN210N30P3

IXFN210N30P3 技术参数

IXFN210N30P3 数据手册

与IXFN210N30P3相关器件

与IXFN210N30P3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFN210N30P3

IXFN210N30P3 技术参数

IXFN210N30P3 数据手册

与IXFN210N30P3相关器件

与IXFN210N30P3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？