是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 4.41 |
配置: | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 192 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 1500 W | 子类别: | FET General Purpose Power |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFN210N30X3 | LITTELFUSE |
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超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可提供出类拔萃的质量因数(导通电阻乘 | |
IXFN21N100 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)DSS | 21A I(D) | |
IXFN21N100Q | IXYS |
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HiPerFET TM Power MOSFETs Q-Class | |
IXFN21N100Q | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFN220N20X3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFN22N120 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFN230N10 | IXYS |
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Power MOSFETs Single Die MOSFET | |
IXFN230N10 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFN230N10_08 | IXYS |
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Power MOSFET Single Die MOSFET | |
IXFN230N20T | IXYS |
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GigaMOS Power MOSFET |