5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 8.38 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | UL RECOGNIZED, AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1000 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 1200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 20 A | 最大漏极电流 (ID)： | 20 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.57 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 595 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 50 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Nickel (Ni) |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFN210N20P | IXYS |
获取价格 |
Polar HiPerFET |
|
| IXFN210N20P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
|
| IXFN210N30P3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXFN210N30P3 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| IXFN210N30X3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘 |
|
| IXFN21N100 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)DSS | 21A I(D) |
|
| IXFN21N100Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET TM Power MOSFETs Q-Class |
|
| IXFN21N100Q | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
|
| IXFN220N20X3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXFN22N120 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
