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IXFN210N30X3

更新时间： 2024-11-19 14:56:43

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关栅栅极
页数	文件大小	规格书
7页	314K
描述
超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘以栅极电荷），最大限度地降低传导和开关损耗。该系列产品表现出业内最低的导通电阻。凭借较低的反向恢复电荷

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IXFN210N30X3 数据手册

X3-Class HiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 300V

I_D25= 210A

R_DS(on) 4.6m

IXFN210N30X3

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

miniBLOC, SOT-227

E153432

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

300

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

 20

 30

D = Drain

I_D25

I_L(RMS)

I_DM

T_C= 25C

External Lead Current Limit

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

210

200

650

G = Gate

S = Source

I_A

E_AS

T_C= 25C

105

P_D

T_C= 25C

695

Features

dv/dt

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

V/ns

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C



International Standard Package

miniBLOC, with Aluminium Nitride

Isolation

Isolation Voltage 2500V~

High Current Handling Capability

Avalanche Rated



V_ISOL

50/60 Hz, RMS

I_ISOL 1mA

t = 1 minute

t = 1 second

2500

3000

M_d

Mounting Torque

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in

Low R_DS(on)

Weight

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS=  20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

300

Applications



2.5

4.5

Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

200 nA



DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

Robotics and Servo Controls



I_DSS

25 A

2.5 mA



T_J= 125C



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_DSS, Note 1

3.8

4.6 m

DS100881B(11/19)

12 3 4 5 6 7

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