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力特 - LITTELFUSE | 栅 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 150K | |
描述 | ||
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围(从-40 °C到175 °C),这些产品非常适合汽车应用以及其他处 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFN23N100 | IXYS |
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HiPerFET-TM Power MOSFET | |
IXFN240N15T2 | IXYS |
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GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET | |
IXFN240N15T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 | |
IXFN240N25X3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFN24N100 | IXYS |
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HiPerRF Power MOSFETs | |
IXFN24N100 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFN24N100_08 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFET | |
IXFN24N100F | IXYS |
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HiPerRF Power MOSFETs | |
IXFN24N80 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 800V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide | |
IXFN24N90Q | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 900V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |