5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFN21N100Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET TM Power MOSFETs Q-Class |
|
| IXFN21N100Q | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
|
| IXFN220N20X3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXFN22N120 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
|
| IXFN230N10 | IXYS |
获取价格 |
Power MOSFETs Single Die MOSFET |
|
| IXFN230N10 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
|
| IXFN230N10_08 | IXYS |
获取价格 |
Power MOSFET Single Die MOSFET |
|
| IXFN230N20T | IXYS |
获取价格 |
GigaMOS Power MOSFET |
|
| IXFN230N20T | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
|
| IXFN23N100 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET-TM Power MOSFET |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
