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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFN21N100Q | IXYS |
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HiPerFET TM Power MOSFETs Q-Class |
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| IXFN21N100Q | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFN220N20X3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFN22N120 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFN230N10 | IXYS |
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Power MOSFETs Single Die MOSFET |
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| IXFN230N10 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFN230N10_08 | IXYS |
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Power MOSFET Single Die MOSFET |
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| IXFN230N20T | IXYS |
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GigaMOS Power MOSFET |
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| IXFN230N20T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXFN23N100 | IXYS |
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HiPerFET-TM Power MOSFET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
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