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IXFN200N10P

更新时间： 2024-11-18 11:14:03

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5页	86K
描述
Polar HiPerFET Power MOSFET

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IXFN200N10P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	PLASTIC, MINIBLOC-4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	4.29
其他特性：	AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED	雪崩能效等级（Eas）：	4000 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	200 A
最大漏源导通电阻：	0.0075 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PUFM-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Nickel (Ni)
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFN200N10P 数据手册

Polar^TMHiPerFET

Power MOSFET

V_DSS= 100 V

I_D25= 200 A

R_DS(on)≤ 7.5 mΩ

IXFN 200N10P

N-Channel Enhancement Mode

Fast Intrinsic Diode

t_rr

≤ 150 ns

Avalanche Rated

miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)

E153432

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C; R_GS= 1 MΩ

100

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

I_D25

T_C= 25°C

200

100

400

I_D(RMS)

I_DM

External lead current limit

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

G = Gate

D = Drain

S = Source

I_AR

T_C= 25°C

Either Source terminal S can be used as the

Source terminal or the Kelvin Source (gate

return) terminal.

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

100

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 4 Ω

V/ns

Features

T_C= 25°C

680

• International standard package

• Encapsulating epoxy meets

UL94V-0, flammability classification

• miniBLOC with Aluminium nitride

isolation

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +150

°C

V_ISOL

50/60 Hz, RMS,

T = 1 min

T = 1 s

2500

3000

I_ISOL≤ 1 mA,

M_d

Mounting torque, Terminal connection torque

1.5/13

lb.in.

Weight

• Low package inductance

• Fast intrinsic Rectifier

Applications

• DC-DC converters

• Synchronous rectification

• Battery chargers

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

• Switched-mode and resonant-mode

power supplies

• DC choppers

• Temperature and lighting controls

• Low voltage relays

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= 8 mA

V_GS= 20 V, V_DS= 0

V_DS= V_DSS,V_GS= 0 V

100

3.0

5.0

100

I_DSS

500

μA

2.5 mA

Advantages

T_J= 150°C

T_J= 175°C

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

V_GS= 15 V, I_D= 400A

7.5 mΩ

mΩ

5.5

Pulse test, t ≤ 300 μs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99239E(03/06)

12 3 4 5

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IXFN200N10P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFN280N085	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN230N10	IXYS	类似代替	Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN180N10	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFET Single MOSFET Die

与IXFN200N10P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFN20N120	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFN20N120P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFN20N120P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFN210N20P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET
IXFN210N20P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFN210N30P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFN210N30P3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXFN210N30X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFN21N100	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 1KV V(BR)DSS \| 21A I(D)
IXFN21N100Q	IXYS	获取价格	HiPerFET TM Power MOSFETs Q-Class

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