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力特 - LITTELFUSE | 栅 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 196K | |
描述 | ||
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围(从-40 °C到175 °C),这些产品非常适合汽车应用以及其他处 |
生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.74 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFN185N10 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 100V V(BR)DSS | 185A I(D) | |
IXFN200N06 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFN200N07 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFN200N07 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFN200N10P | IXYS |
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Polar HiPerFET Power MOSFET | |
IXFN200N10P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFN20N120 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFN20N120P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET | |
IXFN20N120P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFN210N20P | IXYS |
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Polar HiPerFET |