Datasheet > IXFN180N25T

IXFN180N25T

更新时间： 2024-11-19 14:56:51

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅
页数	文件大小	规格书
7页	196K
描述
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFN180N25T 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.74
Base Number Matches：	1

IXFN180N25T 数据手册

Preliminary Technical Information

GigaMOS^TM

Power MOSFET

V_DSS= 250V

I_D25= 168A

R_DS(on) 12.9m

IXFN180N25T

t_rr

 200ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

miniBLOC, SOT-227

E153432

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

250

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

168

500

G = Gate

S = Source

D = Drain

I_A

T_C= 25C

E_AS

Either Source Terminal S can be used as

the Source Terminal or the Kelvin Source

( Gate Return ) Terminal.

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

900

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C

Features

^International Standard Package

^miniBLOC, with Aluminium Nitride

Isolation

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

^Isolation voltage 2500 V~

^High Current Handling Capability

^Fast Intrinsic Diode

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

I_ISOL 1mA

t = 1 minute

t = 1 second

2500

3000

M_d

Mounting Torque

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in

^Avalanche Rated



Low R_DS(on)

Weight

Advantages



Easy to Mount

Space Savings

High Power Density



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

250

3.0

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

^DC-DC Converters

^Battery Chargers

5.0

200 nA

^Switched-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

I_DSS

50 A

2.5 mA

^DC Choppers

^AC Motor Drives

T_J= 125C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 90A, Note 1

12.9 m

^Uninterruptible Power Supplies

^High Speed Power Switching

Applications

DS100130A(9/14)

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与IXFN180N25T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFN185N10	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 100V V(BR)DSS \| 185A I(D)
IXFN200N06	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFN200N07	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFN200N07	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFN200N10P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFN200N10P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFN20N120	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFN20N120P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFN20N120P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFN210N20P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET

与IXFN180N25T相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFN180N25T

IXFN180N25T 技术参数

IXFN180N25T 数据手册

与IXFN180N25T相关器件

与IXFN180N25T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFN180N25T

IXFN180N25T 技术参数

IXFN180N25T 数据手册

与IXFN180N25T相关器件

与IXFN180N25T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？