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IXFN180N10

更新时间： 2024-11-19 14:56:15

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力特 - LITTELFUSE		/
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6页	164K
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IXFN180N10 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
Base Number Matches：	1

IXFN180N10 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 100V

I_D25= 180A

R_DS(on) 8m

IXFN180N10

t_rr

 250ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Rectifier

miniBLOC

E153432

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

100

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

180

720

G = Gate

S = Source

D = Drain

I_A

E_AS

T_C= 25C

180

Either Source Terminal S can be used as

the Source Terminal or the Kelvin Source

(Gate Return) Terminal.

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150C

T_C= 25C

V/ns

600

Features

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C



International Standard Package

miniBLOC, with Aluminium Nitride



V_ISOL

50/60 Hz, RMS, t = 1minute

2500

3000

Isolation

Dynamic dv/dt Rating

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Rectifier

Low R_DS(on)

Low Drain-to-Tab Capacitance

Low Package Inductance

I_ISOL1mA,

t = 1s



M_d

Mounting Torque for Base Plate

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in



Weight



Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min.

100

2.0

Typ.

Max.



Easy to Mount

Space Savings



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

4.0

Applications

100 nA



DC-DC Converters

Battery Chargers

Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

Synchronous Rectification

Low Voltage relays

DC Chopper

Temperature and Lighting Controls



I_DSS

100 A

2 mA



T_J= 125C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 90A, Note 1

8 m



DS98546C(02/14)

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