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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 8.58 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 4000 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 70 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 340 A | 最大漏极电流 (ID)： | 340 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.004 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 700 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 1360 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Nickel (Ni) |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFN340N07_04 | IXYS |
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HiPerFET⑩ Power MOSFETs Single Die MOSFET |
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| IXFN34N100 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET |
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| IXFN34N80 | IXYS |
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HiPerFETTM Power MOSFETs Single DieMOSFET |
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| IXFN34N80 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFN35N50 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs |
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| IXFN35N50 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXFN360N10T | IXYS |
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GigaMOS Trench HiperFET Power MOSFET |
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| IXFN360N10T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXFN360N15T2 | IXYS |
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GigaMOSTrenchT2 HiperFET Power MOSFET |
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| IXFN360N15T2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
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