5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXFN340N07
IXFN340N07 PDF预览

IXFN340N07

更新时间： 2024-02-11 02:25:17
品牌 Logo 应用领域
IXYS /
页数 文件大小 规格书
2页 107K
描述
HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET

阅读下载

获取价格

IXFN340N07 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
风险等级：8.58其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：4000 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：70 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：340 A最大漏极电流 (ID)：340 A
最大漏源导通电阻：0.004 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PUFM-X4元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：700 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：1360 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Nickel (Ni)
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

IXFN340N07 数据手册

 浏览型号IXFN340N07的Datasheet PDF文件第2页 
HiPerFETTM  
IXFN 340N07  
VDSS = 70 V  
Power MOSFETs  
Single Die MOSFET  
ID25  
RDS(on)  
= 340 A  
= 4 mW  
D
trr £ 250ns  
N-ChannelEnhancementMode  
AvalancheRated, Highdv/dt, Lowtrr  
G
S
S
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
miniBLOC,SOT-227B(IXFN)  
E153432  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 150°C  
70  
70  
V
V
S
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MW  
G
VGS  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
VGSM  
S
ID25  
IL(RMS)  
IDM  
TC = 25°C, Chip capability  
Terminal current limit  
340  
100  
A
A
A
A
D
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
TC = 25°C  
1360  
200  
IAR  
G = Gate  
D = Drain  
S = Source  
EAR  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
64  
4
mJ  
J
Either Source terminal at miniBLOC can be used  
as Main or Kelvin Source  
EAS  
dv/dt  
IS £ IDM, di/dt £ 100 A/ms, VDD £ VDSS  
TJ £ 150°C, RG = 2 W  
,
5
V/ns  
PD  
TC = 25°C  
700  
W
Features  
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
• Internationalstandardpackages  
• miniBLOC, withAluminiumnitride  
isolation  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
• Low RDS (on) HDMOSTM process  
• Ruggedpolysilicongatecellstructure  
• UnclampedInductiveSwitching(UIS)  
rated  
• Lowpackageinductance  
• FastintrinsicRectifier  
VISOL  
50/60 Hz, RMS  
IISOL £ 1 mA  
t = 1 min  
t = 1 s  
2500  
3000  
V~  
V~  
Md  
Mounting torque  
Terminal connection torque  
1.5/13 Nm/lb.in.  
1.5/13 Nm/lb.in.  
Weight  
30  
g
Applications  
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
• DC-DC converters  
• Batterychargers  
min. typ. max.  
• Switched-modeandresonant-mode  
VDSS  
VGS = 0 V, ID = 3 mA  
VDS = VGS, ID = 8 mA  
70  
V
V
power supplies  
VGH(th)  
2.0  
4.0  
• DC choppers  
• Temperatureandlightingcontrols  
IGSS  
IDSS  
VGS = ±20 VDC, VDS = 0  
±200 nA  
100 mA  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
2
mA  
Advantages  
RDS(on)  
VGS = 10 V, I = 100A  
Pulse test, t £D300 ms,  
duty cycle d £ 2 %  
4
mW  
• Easy to mount  
• Space savings  
• High power density  
© 2000 IXYS All rights reserved  
98547B (10/00)  
12

下载PDF

与IXFN340N07相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
IXFN340N07_04 IXYS HiPerFET⑩ Power MOSFETs Single Die MOSFET

获取价格
IXFN34N100 IXYS HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET

获取价格
IXFN34N80 IXYS HiPerFETTM Power MOSFETs Single DieMOSFET

获取价格
IXFN34N80 LITTELFUSE 功能与特色: 应用: 优点:

获取价格
IXFN35N50 IXYS HIPERFET Power MOSFTETs

获取价格
IXFN35N50 LITTELFUSE Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

获取价格

与IXFN340N07相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证