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| 力特 - LITTELFUSE |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 6页 | 147K |  |
| 描述 | ||
| 功能与特色: 优点: 应用: | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.75 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 5000 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 300 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 138 A | 最大漏极电流 (ID)： | 138 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.018 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 890 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 500 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Nickel (Ni) |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFN170N65X2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFN170N65X2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor |
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| IXFN17N80 | IXYS |
获取价格 |
HIPERFET Power MOSFTETs |
|
| IXFN180N06 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
|
| IXFN180N07 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFN180N10 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFET Single MOSFET Die |
|
| IXFN180N10 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFN180N15P | IXYS |
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PolarHT HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFN180N15P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFN180N20 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET |
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