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IXFN150N65X2

更新时间： 2024-09-28 14:56:19

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力特 - LITTELFUSE		栅二极管栅极
页数	文件大小	规格书
6页	160K
描述
这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的dv/dt性能。其雪崩能力也增强了器件的强度。此外，借助快速软恢复体二极管，超级结MOSFET有助于

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IXFN150N65X2 数据手册

X2-Class HiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 650V

I_D25= 145A

R_DS(on) 17m

IXFN150N65X2

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

miniBLOC, SOT-227

E153432

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

650

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

 30

 40

I_D25

I_DM

T_C= 25C

145

300

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

G = Gate

S = Source

D = Drain

I_A

E_AS

T_C= 25C

P_D

T_C= 25C

1040

dv/dt

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

V/ns

Features

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C



International Standard Package

miniBLOC, with Aluminium Nitride

Isolation

Isolation Voltage 2500 V~

High Current Handling Capability

Fast Intrinsic Diode



V_ISOL

50/60 Hz, RMS

I_ISOL 1mA

t = 1 minute

t = 1 second

2500

3000



M_d

Mounting Torque

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in



Avalanche Rated

Low R_DS(on)

Weight

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS=  30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

650

Applications

3.5

5.0



Switch-Mode and Resonant-Mode

200 nA

Power Supplies



DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

Robotics and Servo Controls

I_DSS

50 A

5 mA



T_J= 125C



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 75A, Note 1

17 m

DS100691B(03/16)

12 3 4 5 6

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