生命周期: | Transferred | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.76 |
配置: | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 17 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 325 W |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFN180N06 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFN180N07 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFN180N10 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFET Single MOSFET Die | |
IXFN180N10 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFN180N15P | IXYS |
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PolarHT HiPerFET Power MOSFET | |
IXFN180N15P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFN180N20 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET | |
IXFN180N20 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFN180N25T | IXYS |
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GigaMOS Power MOSFET | |
IXFN180N25T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 |