5秒后页面跳转
IXFN17N80 PDF预览

IXFN17N80

更新时间: 2024-11-04 22:41:15
品牌 Logo 应用领域
IXYS /
页数 文件大小 规格书
8页 296K
描述
HIPERFET Power MOSFTETs

IXFN17N80 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:,
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.76
配置:Single最大漏极电流 (Abs) (ID):17 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式:ENHANCEMENT MODE
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):325 W
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
Base Number Matches:1

IXFN17N80 数据手册

 浏览型号IXFN17N80的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXFN17N80的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXFN17N80的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXFN17N80的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXFN17N80的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IXFN17N80的Datasheet PDF文件第7页 

与IXFN17N80相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXFN180N06 IXYS

获取价格

HiPerFET Power MOSFETs
IXFN180N07 IXYS

获取价格

HiPerFET Power MOSFETs
IXFN180N10 IXYS

获取价格

HiPerFET Power MOSFET Single MOSFET Die
IXFN180N10 LITTELFUSE

获取价格

功能与特色: 应用: 优点:
IXFN180N15P IXYS

获取价格

PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXFN180N15P LITTELFUSE

获取价格

功能与特色: 优点: 应用:
IXFN180N20 IXYS

获取价格

HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN180N20 LITTELFUSE

获取价格

功能与特色: 应用: 优点:
IXFN180N25T IXYS

获取价格

GigaMOS Power MOSFET
IXFN180N25T LITTELFUSE

获取价格

沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低