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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.76 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 17 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 325 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFN180N06 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFN180N07 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFN180N10 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFET Single MOSFET Die |
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| IXFN180N10 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFN180N15P | IXYS |
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PolarHT HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFN180N15P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFN180N20 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET |
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| IXFN180N20 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFN180N25T | IXYS |
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GigaMOS Power MOSFET |
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| IXFN180N25T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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