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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
8页 | 664K | |
描述 | ||
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.76 |
Is Samacsys: | N | 配置: | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 15 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 325 W | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFN160N30T | IXYS |
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GigaMOS Power MOSFET | |
IXFN160N30T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXFN16N100 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs | |
IXFN170N10 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFET | |
IXFN170N10 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFN170N25X3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFN170N30P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET | |
IXFN170N30P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFN170N65X2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFN170N65X2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor |