5秒后页面跳转
| 品牌 | Logo | 应用领域 |
| 力特 - LITTELFUSE |  |
/ |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 8页 | 664K |  |
| 描述 | ||
| Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | ||
| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.76 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 15 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 325 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFN160N30T | IXYS |
获取价格 |
GigaMOS Power MOSFET |
|
| IXFN160N30T | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
|
| IXFN16N100 | IXYS |
获取价格 |
HIPERFET Power MOSFTETs |
|
| IXFN170N10 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFET |
|
| IXFN170N10 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
|
| IXFN170N25X3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXFN170N30P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
|
| IXFN170N30P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
|
| IXFN170N65X2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXFN170N65X2 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
