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IXFN15N100

更新时间: 2024-11-05 20:13:11
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
8页 664K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

IXFN15N100 技术参数

生命周期:Active包装说明:,
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.76
Is Samacsys:N配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):15 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式:ENHANCEMENT MODE极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):325 W子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NOBase Number Matches:1

IXFN15N100 数据手册

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