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IXFN132N50P3

更新时间： 2024-02-16 16:22:38

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
Polar3 HiPerFET Power MOSFET

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IXFN132N50P3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	4.95

IXFN132N50P3 数据手册

Advance Technical Information

Polar3^TMHiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 500V

I_D25= 112A

R_DS(on)≤ 39mΩ

IXFN132N50P3

t_rr

≤ 250ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

miniBLOC

E153432

Fast Intrinsic Rectifier

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

500

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

G = Gate

S = Source

D = Drain

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

112

330

Either Source Terminal S can be used as

the Source Terminal or the Kelvin Source

(Gate Return) Terminal.

I_A

E_AS

T_C= 25°C

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

1500

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

International Standard Package

miniBLOC with Aluminum Nitride

V_ISOL

50/60 Hz, RMS, t = 1minute

2500

3000

Isolation

Avalanche Rated

Low Package Inductance

Fast Intrinsic Rectifier

I_ISOL≤ 1mA,

t = 1s

M_d

Mounting Torque for Base Plate

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in.

Low R_DS(on)and Q_G

Weight

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

500

3.0

Typ.

Max.

^zDC-DC Converters

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

^zBattery Chargers

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

5.0

±200 nA

^zUninterrupted Power Supplies

^zAC Motor Drives

I_DSS

50 μA

6 mA

^zHigh Speed Power Switching

Applications

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 66A, Note 1

39 mΩ

DS100316(03/11)

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