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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 4.27 | 其他特性： | AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 5000 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 300 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 110 A | 最大漏极电流 (ID)： | 110 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.024 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 700 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 300 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Nickel (Ni) |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFN150N10 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFN150N10 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFN150N15 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFN150N65X2 | LITTELFUSE |
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这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的 |
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| IXFN15N100 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXFN160N30T | IXYS |
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GigaMOS Power MOSFET |
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| IXFN160N30T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXFN16N100 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs |
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| IXFN170N10 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFN170N10 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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